日前，美光宣布第一批第四代 3D NAND 存储芯片流片已经出样，全新的第四代 3D NAND 基于美光的 RG 架构，预计 2020 年美光第四代 3D NAND 闪存将开始商用。

同时，美光警告称，使用新架构的存储芯片将仅用于特定应用，因此明年其 3D NAND 成本削减将微乎其微。

美光第四代 3D NAND 使用多达 128 个有源层，并在阵列设计方法上继续使用 CMOS。新型 3D NAND 存储器改变了用于栅替换的浮栅技术，以试图降低尺寸和成本，同时提高性能，并简化向下一代节点的过渡。该技术完全由美光公司开发，没有英特尔任何投入，因此它很可能是针对美光公司最希望针对的应用量身定制。

美光表示，在其后续 RG 工艺节点广泛部署之后，到 2021 财年将真正开始降低成本。